Samsung se podle uniklých informací rozhodl použít dvojitou vrstvovou architekturu pro 300-vrstvou 3D V-NAND paměť.

Samsung se podle uniklých informací rozhodl použít dvojitou vrstvovou architekturu pro 300-vrstvou 3D V-NAND paměť.

Samsung plánuje použít architekturu s dvojitým zásobníkem pro 300 vrstevý 3D V-NAND paměť, informuje uniklá zpráva.

Se stále rostoucí poptávkou po vyšší kapacitě a výkonnosti paměťových zařízení se výrobci snaží najít inovativní řešení. Jedním z těchto řešení je technologie 3D V-NAND, která umožňuje umístit více paměťových buněk na menší plochu. Samsung, jedna z předních firem na trhu s paměťovými zařízeními, nyní plánuje přijít s další inovací.

Podle uniklé zprávy se Samsung chystá využít architekturu s dvojitým zásobníkem pro svou 300 vrstevou 3D V-NAND paměť. Tato technologie umožňuje zdvojnásobit kapacitu paměti na stejném čipu. To znamená, že Samsung bude schopen nabídnout vyšší kapacitu paměti ve stejném fyzickém rozměru.

Důvodem pro použití architektury s dvojitým zásobníkem je snaha o maximalizaci využití prostoru a dosažení co nejvyšší výkonnosti. Díky zvýšení počtu vrstev paměti Samsung bude schopen nabídnout zákazníkům vyšší kapacitu a rychlost přístupu k datům.

Další výhodou použití architektury s dvojitým zásobníkem je lepší energetická efektivita. Tím, že se kapacita paměti zvýší na stejné ploše, je možné dosáhnout vyšší hustoty dat a tím snížit spotřebu energie.

Samsung se zaměřuje na vylepšování technologií 3D V-NAND pamětí již několik let a věří, že použití architektury s dvojitým zásobníkem posune tyto paměti ještě o krok dále. Společnost plánuje svou novou generaci paměťových čipů představit na trhu v příštím roce.

FAQ:

Q: Jaká je hlavní výhoda architektury s dvojitým zásobníkem?

A: Hlavní výhodou je zdvojnásobení kapacity paměti na stejném čipu a dosažení vyšší hustoty dat.

Q: Jaké jsou další výhody této technologie?

A: Další výhodou je lepší energetická efektivita a vyšší rychlost přístupu k datům.

Q: Kdy plánuje Samsung představit novou generaci paměťových čipů?

A: Samsung plánuje představit novou generaci paměťových čipů na trhu v příštím roce.

Zdroj: https://www.tomshardware.com/news/samsung-to-produce-300-layer-v-nand-in-2024-report